Système de gestion optimale du temps-mort intégré au gate-driver CMOS grâce à la mesure du courant de grille pour les MOSFETs SiC - Les productions scientifiques du groupe CS du laboratoire plasma et conversion d’énergie Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Système de gestion optimale du temps-mort intégré au gate-driver CMOS grâce à la mesure du courant de grille pour les MOSFETs SiC

Marc Cousineau
Nicolas C. Rouger
Frédéric Richardeau

Résumé

This paper presents the design of an innovative gate control integrated circuit to meet the new challenges associated with the use of SiC MOSFETs. This circuit integrates an optimal dead-time management function based on the internal measurement of the gate current. The experimental results show detection of the ideal dead-time duration with a delay of less than 20ns, thus enabling considerably reduce losses and degradation during this phase of operation.
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Dates et versions

hal-04606906 , version 1 (10-06-2024)
hal-04606906 , version 2 (11-06-2024)

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Identifiants

  • HAL Id : hal-04606906 , version 2

Citer

Matthieu Masson, Marc Cousineau, Nicolas C. Rouger, Frédéric Richardeau, Pierre Calmes, et al.. Système de gestion optimale du temps-mort intégré au gate-driver CMOS grâce à la mesure du courant de grille pour les MOSFETs SiC. Congrès de l'école doctorale GEETS, Ecole Doctorale GEETS, Jun 2024, TOULOUSE (FRANCE), France. ⟨hal-04606906v2⟩
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